AlGaNGaNHEMT器件相关论文
第三代半导体材料GaN是宽禁带半导体材料的核心代表,因为其较宽的禁带宽度,较高的电子迁移率和电子饱和速度,使以其为基础制造的半......
近年来,由于氮化镓材料具有高电子迁移率、高电子饱和速率、宽禁带（约3.4e V）、高击穿电场等特点,使得Al Ga N/Ga N HEMT器件在电子......
学位
GaN作为第三代半导体材料,具有优良的物理特性,相比于其他半导体材料,GaN具有宽禁带、高电子饱和速度、高击穿电场和高电子迁移率......
作为第三代半导体材料中的杰出代表,氮化镓材料相比于硅材料具有更大的禁带宽度和更高的击穿场强,可广泛应用于LED照明、5G通讯、......
对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数......
AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声比常规电参数对缺陷更为敏感,缺陷信息更加丰富,且具有不可恢复的特点,与器件的质量和可靠性密切相......
GaN基高迁移率晶体管(HEMT)由于其优异的耐高温高压以及抗辐照等性能在卫星通信、空间站等航天领域广泛应用。然而,太空中存在的大......
扫描探针显微镜(SPM)是目前纳米科技领域非常热门的一种表征方法,可以在纳米级甚至原子量级进行高精度成像及原位表面测量,极大地......
GaN作为第三代半导体材料,因其具有宽禁带,高迁移率,低本征载流子浓度等性质而成为一个非常瞩目的研究热点。常规单层异质结器件凭......
